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2025 article

Effects of thickness and deposition temperature of ALD ZnO thin films on the improvement of electrical properties through dedicated low temperature annealing post-processing

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Rattachement africain : pl. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Effects of thickness and deposition temperature of ALD ZnO thin films on the improvement of electrical properties through dedicated low temperature annealing post-processing
Date Crossref
01/11/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Institute of Metallurgy and Materials Science pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Warsaw University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • AGH University of Krakow pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Wrocław University of Science and Technology Department of Semiconductor Materials Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Faculty of Electronics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • CBRTP SA Research and Development Center of Technology for Industry pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Łódź University of Technology Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Institute of Metallurgy and Materials Science, Warsaw University of Technology et AGH University of Krakow, avec 4 autres affiliations.

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