Effects of thickness and deposition temperature of ALD ZnO thin films on the improvement of electrical properties through dedicated low temperature annealing post-processing
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- Titre Crossref
- Effects of thickness and deposition temperature of ALD ZnO thin films on the improvement of electrical properties through dedicated low temperature annealing post-processing
- Date Crossref
- 01/11/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Institute of Metallurgy and Materials Science pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Warsaw University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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AGH University of Krakow pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Wrocław University of Science and Technology Department of Semiconductor Materials Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Faculty of Electronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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CBRTP SA Research and Development Center of Technology for Industry pays non établi dans la noticeEntreprise
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Łódź University of Technology Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Institute of Metallurgy and Materials Science, Warsaw University of Technology et AGH University of Krakow, avec 4 autres affiliations.
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