Disorder‐Induced Localization With on‐Device Tunability in Asymmetric Molecular Semiconductors
Rattachement africain : cn, gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
High-mobility organic semiconductors (OSCs) can potentially exhibit metallic carrier behaviors, and electron correlation-driven metal-insulator transition (MIT) has also been realized by tuning the carrier density. However, continuous Anderson transition has rarely been reported in OSCs, due to the difficulty of controllable disorder introduction and localization length tunability. Here we report a strategy of on-device disorder introduction in asymmetric molecular semiconductors that allows the realization of tunable carrier localization and Anderson MIT without a structural phase transition. The disorder can be introduced finely by co-regulating temperature and electric fields to obtain various disorder levels. The effectiveness of this strategy is further confirmed by the calculation of localization length and mean free path, both decreasing with the increased disorder level. This work provides an ideal testbed to investigate the nontrivial interplay of carrier transport property and disorder in disordered organic systems.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Disorder‐Induced Localization With on‐Device Tunability in Asymmetric Molecular Semiconductors
- Date Crossref
- 01/06/2025
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Nanjing University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
University of Cambridge Cavendish Laboratory pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Beijing Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
School of Electronic Science and Engineering National Laboratory of Solid-State Microstructures pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
School of Integrated Circuits Advanced Research Institute of Multidisciplinary Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University et Cavendish Laboratory — University of Cambridge, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.