Structure and formation mechanism of morphological defects with stacking faults in thick 4H-SiC epilayers
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- Titre Crossref
- Structure and formation mechanism of morphological defects with stacking faults in thick 4H-SiC epilayers
- Date Crossref
- 01/09/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Beijing Solar Energy Research Institute pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Beijing Huairou Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Beijing Institute of Smart Energy pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Beijing Solar Energy Research Institute, Beijing Huairou Laboratory et Beijing Institute of Smart Energy.
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