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2025 article

High-performance boron emitters for tunnel oxide passivating contact solar cells enabled by multi-layer PECVD-deposited boron source structures

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
High-performance boron emitters for tunnel oxide passivating contact solar cells enabled by multi-layer PECVD-deposited boron source structures
Date Crossref
01/07/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Ningbo Institute of Industrial Technology pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Soochow University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Zhejiang Provincial Engineering Research Center of Energy Optoelectronic Materials and Devices pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

University of Chinese Academy of Sciences, Ningbo Institute of Industrial Technology et Soochow University, avec 4 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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