Aller au contenu principal
Accès ouvert déclaré 2025 article

Structural and Optical Analysis of Chemically Deposited ZnS Thin Films for Optoelectronic Devices Applications

0Citations signalées — pas une note de qualité
4Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés

Résumé fourni par la source

We have produced thin film samples of cubic ZnS by the chemical bath method. These samples were synthesized using zinc chloride, thiourea, sodium citrate and ammonia solutions at varied deposition time from 24h to 96h. X-ray diffraction (XRD), transmittance and photoluminescence (PL) analyses provided the physical characteristics of cubic ZnS films with crystal plane orientations (2 0 0) and (2 2 2), lattice parameters of 5.648 Å and an atomic plane distance d=1.412 Å. The grain size calculed are 16.53 nm and 17.12 nm. PL revealed deep defects in the gap with peaks in the visible, with prominent emissions at 430 nm (blue) and 510 nm (green). The measured transmittance of the films is 88.6%.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Structural and Optical Analysis of Chemically Deposited ZnS Thin Films for Optoelectronic Devices Applications
Date Crossref
03/05/2025
Éditeur
Sciencedomain International
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Sujets associés

Chalcogenide Semiconductor Thin FilmsQuantum Dots Synthesis And Properties

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Recherche à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, ROR et la Banque mondiale, sans clé ; OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant requis, aucune donnée externe enregistrée en base. Sources et limites.