Bit Line Hammering in Si-Based VCT DRAM: A New Security Challenge and Its Mitigation
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We introduce the Bit Line Hammer (BL hammer) effect, a serious disturbance mechanism in 4F2 DRAM with Si-based Vertical Channel Transistors (VCT). We demonstrate that a specifically designed BL attack pattern, featuring asymmetry and an appropriate toggling frequency, can trigger numerous bit-flips under JEDEC standards, especially at elevated temperatures. This uncovers an unexplored security vulnerability in VCT DRAM cells, with implications for data integrity in advanced memory technologies. Finally, we propose a mitigation strategy to improve cell’s resistance to the BL hammering.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Bit Line Hammering in Si-Based VCT DRAM: A New Security Challenge and Its Mitigation
- Date Crossref
- 01/05/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.