Low-Power CMOS Inverter Using Homogeneous Monolayer WSe₂ Channel With Polarity Control
Rattachement africain : tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
While performance metrics of innovative technology-nodes continue to improve rapidly, energy efficiency has not kept pace. In this work, we successfully constructed a homogeneous CMOS inverter using monolayer tungsten diselenide (WSe2), a promising candidate can maintain good mobility at atomic-level thickness and offers better resistance to short-channel effects. Through different contact engineering and passivation doping approaches, the polarity of WSe2could be effectively tailored. These module improvements are helpful to investigate the impact on threshold voltage of several critical process steps and match performance of both n and p-type field-effect transistors with low effective oxide thickness back-gate dielectrics in enhancement-mode operation. In addition, the inverters demonstrate superior performance at a relevant supply voltage (VDD) of 1.5 V: voltage gain exceeding 10 V/V, noise margin over 80%, picowatt-range static-power consumption, and near-ideal switching voltage of half-VDD. Reaching these numbers simultaneously opens up the possibilities for future-generation applications of two-dimensional material-based electronic components.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low-Power CMOS Inverter Using Homogeneous Monolayer WSe₂ Channel With Polarity Control
- Date Crossref
- 01/07/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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National Taiwan University Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) Corporate Research pays non établi dans la noticeEntreprise
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National Tsing Hua University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Graduate School of Advanced Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics — National Taiwan University, Corporate Research — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan) et National Tsing Hua University, avec 1 autre affiliation.
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