Aller au contenu principal
Accès ouvert déclaré 2025 article

Visible electroluminescence from nanostructured silicon-based Schottky junction LED: role of metal contacts

4Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

This work investigates the electroluminescent properties of Schottky junction LEDs based on nanostructured silicon . Despite the challenges with low efficiency, silicon-based light sources are gaining attention due to their compatibility with optoelectronic integrated circuits. This study explores the effect of metal contacts (Silver, Gold, Copper) that play an influencing role in the electroluminescence properties of these devices, by the key parameters such as the optical transparency , work function and solid solubility of the metals in the silicon oxide matrix. These factors affect injection and extraction efficiencies, as well as the emission spectrum , which is characterized by bias-dependent multiple peaks owing to the radiative transitions between the quantum-confined Bloch states and oxide-related interface trap states within the band gap of the nanostructured silicon. Among the metal contacts studied, Silver provides the highest external quantum efficiency integrated over a broad emission spectrum , demonstrating its potential as a source in photonic devices .

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Visible electroluminescence from nanostructured silicon-based Schottky junction LED: role of metal contacts
Date Crossref
01/07/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Indian Institute of Engineering Science and Technology Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Indian Institute of Technology Guwahati Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Department of Physics — Indian Institute of Engineering Science and Technology et Department of Physics — Indian Institute of Technology Guwahati.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Silicon Nanostructures and PhotoluminescenceNanowire Synthesis and ApplicationsSemiconductor materials and interfaces

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.