Effects of MOCVD growth conditions on N-polar GaN layers on misorientation sapphires
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Effects of MOCVD growth conditions on N-polar GaN layers on misorientation sapphires
- Date Crossref
- 01/08/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Institute of Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Songshan Lake Materials Laboratory pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Key Laboratory for Renewable Energy pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Chinese Academy of Sciences, Institute of Physics et University of Chinese Academy of Sciences, avec 2 autres affiliations.
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