Low two-level-system noise in hydrogenated amorphous silicon
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
At sub-Kelvin temperatures, two-level systems (TLSs) present in amorphous dielectrics source a permittivity noise, degrading the performance of a wide range of devices using superconductive resonators such as qubits or kinetic inductance detectors. We report here on measurements of TLS noise in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition in superconductive lumped element resonators using parallel-plate capacitors. The TLS noise results presented in this article for two recipes of a-Si:H improve on the best results achieved in the literature by a factor >5 for a-Si:H and other amorphous dielectrics and are comparable to those observed for resonators deposited on crystalline dielectrics.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low two-level-system noise in hydrogenated amorphous silicon
- Date Crossref
- 01/03/2025
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Jet Propulsion Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
National Institute of Standards and Technology pays non établi dans la noticeOrganisme public
-
California Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Jet Propulsion Laboratory, National Institute of Standards and Technology et California Institute of Technology.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.