Recent progress in HVPE-based GaN substrate fabrication
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Using our void-assisted separation (VAS) method based on hydride vapor phase epitaxy (HVPE), a 6-inch free-standing GaN wafer has been successfully realized. Extremely wide range of n-type doping from 1e15 to 1e20 /cm3 is available. High enough thermal conductivity around 150 W/mK, suitable for high-power device operation, was maintained even when the doping concentration was 1e20/cm3. In addition, we will also talk about newly developed method suitable for fabrication of large-sized GaN substrates, named pore-assisted separation (PAS) method, where GaN substrate is separated at a porous layer formed electrochemically inside a seed GaN-template.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Recent progress in HVPE-based GaN substrate fabrication
- Date Crossref
- 19/03/2025
- Éditeur
- SPIE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Sumitomo Chemical (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Ltd. (Japan) Sumitomo Chemical Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
Sumitomo Chemical (Japan) et Sumitomo Chemical Co. — Ltd. (Japan).
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