Strain and composition engineering of excited-state carrier recombination dynamics in GaAs/GaP and GaAs/AlAs superlattices: insights from time-domain nonadiabatic molecular dynamics simulations
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Strain engineering in GaAs/GaP and GaAs/AlAs superlattices enables carrier lifetime tuning from picosecond to nanosecond levels, supporting applications such as photovoltaic cells, photodetectors, and light-emitting diodes.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Strain and composition engineering of excited-state carrier recombination dynamics in GaAs/GaP and GaAs/AlAs superlattices: insights from time-domain nonadiabatic molecular dynamics simulations
- Date Crossref
- 01/01/2025
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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