Novel staggered quantum well design and in-surfactant GaN buffer layer in UVA light emitting diode heterostructures
3Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : my. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Novel staggered quantum well design and in-surfactant GaN buffer layer in UVA light emitting diode heterostructures
- Date Crossref
- 01/05/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Universiti Sains Malaysia pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
University of Malaya pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Xiamen University Malaysia pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
International Islamic University Malaysia Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR) pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Faculty of Science Low Dimensional Materials Research Centre (LDMRC) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
School of Energy and Chemical Engineering Kelip-kelip! Center of Excellence for Light Enabling Technologies pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Universiti Sains Malaysia, University of Malaya et Xiamen University Malaysia, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
GaN-based semiconductor devices and materialsZnO doping and propertiesSemiconductor Quantum Structures and Devices