Morphological and optical tuning of β-Ga2O3 NRs/p-GaN/sapphire via precursor concentration for high-performance MSM UV photodetector application
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4Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : my, pk, Nigéria. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Morphological and optical tuning of β-Ga2O3 NRs/p-GaN/sapphire via precursor concentration for high-performance MSM UV photodetector application
- Date Crossref
- 01/05/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Universiti Sains MalaysiaSukkur IBA UniversityGovernment College University, LahoreSokoto State University
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Ga2O3 and related materialsAdvanced Photocatalysis TechniquesZnO doping and properties