Towards Harsh Environment Silicon Carbide Based On-Chip Antenna
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Le résumé fourni par la source
This paper presents an on-chip dielectric resonator antenna (DRA) based on silicon carbide (SiC). SiC is a semiconductor material known for its large bandgap, high dielectric breakdown, and temperature-stable dielectric properties, making it well-suited for harsh environment electronics. We propose a DRA on a SiC substrate, incorporating a sapphire rectangular resonator bonded to the SiC chip. The fundamental TE111 mode is excited at 29.5 GHz within the resonator via a rectangular aperture on the SiC chip, which is fed by a coplanar waveguide (CPW). An inductive series stub at the feed is used for impedance matching. Simulation results demonstrate a high gain of 7.4 dBi with a radiation efficiency of 84%. Furthermore, we propose a custom probe station with an integrated hot plate and robotic arm for high-temperature testing of the DRA.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Towards Harsh Environment Silicon Carbide Based On-Chip Antenna
- Date Crossref
- 07/01/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Georgia Institute of Technology.
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