Charge carrier localization in monolayer WS2 influenced by hBN microbubbles
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Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Charge carrier localization in monolayer WS2 influenced by hBN microbubbles
- Date Crossref
- 01/03/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology Department of Physics and Chemistry pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Jeonbuk National University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Physics and Chemistry — Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology et Department of Physics — Jeonbuk National University.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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