Materiality of antimony doping in Ge–S amorphous chalcogenides in nonlinear switching
Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Materiality of antimony doping in Ge–S amorphous chalcogenides in nonlinear switching
- Date Crossref
- 21/02/2025
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Indian Institute of Information Technology Allahabad pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Indian Institute of Science Education and Research pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Indian Institute of Information Technology Bhopal Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Chhatrapati Shahu Ji Maharaj University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Christ Church College Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Christ University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Indian Institute of Technology Kanpur Materials Science Programme pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Basic Sciences Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Indian Institute of Information Technology Allahabad, Indian Institute of Science Education and Research et Department of Physics — Indian Institute of Information Technology Bhopal, avec 5 autres affiliations.
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