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2025 article

Materiality of antimony doping in Ge–S amorphous chalcogenides in nonlinear switching

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Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Materiality of antimony doping in Ge–S amorphous chalcogenides in nonlinear switching
Date Crossref
21/02/2025
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Indian Institute of Information Technology Allahabad pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Indian Institute of Science Education and Research pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Indian Institute of Information Technology Bhopal Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Chhatrapati Shahu Ji Maharaj University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Christ Church College Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Christ University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Indian Institute of Technology Kanpur Materials Science Programme pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Basic Sciences Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Indian Institute of Information Technology Allahabad, Indian Institute of Science Education and Research et Department of Physics — Indian Institute of Information Technology Bhopal, avec 5 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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