Research and Improvement of Muller C Element
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
ABSTRACT The basic structure of conventional Muller C element is studied and the output errors caused by node parasitic capacitors are analysed in this letter. In order to avoid such errors, an improved C element with two inverted ratio MOS transistors added is proposed to control high resistance nodes of the circuit. To reduce the power consumption of C element, two resistors are added. The proposed C element has been designed in 28 nm CMOS process and 2.5 V devices are adopted. The simulation results show that proposed C element avoids such errors and the size of the layout is 67.33 µm 2 .
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Research and Improvement of Muller C Element
- Date Crossref
- 01/01/2025
- Éditeur
- Institution of Engineering and Technology (IET)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.