КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ЦЕПОЧЕЧНОГО СЕЛЕНОИОДИДА ВАНАДИЯ [V3Se12I2]I3·1/4I2

Le résumé fourni par la source

В реакции ванадия, селена и иода при 240°С получен кристалл селеноиодида ванадия [V3Se12I2]I3·1/4I2. По данным монокристального рентгеноструктурного анализа (пр.гр. P21/c, a = 19.1162(7) Å, b = 13.6844(5) Å, c = 18.1423(6) Å, β = 90.663(2)°, V = 4745.6(3) Å3, T = 150 К, Z = 8), структура [V3Se12I2]I3·1/4I2 включает положительно заряженные цепи [V3Se12I2]∞+, составленные из линейных групп {V3I(Se2)3(Se2I)} с расстояниями V…V 2.98 Å. Между собой эти группы соединены одним мостиковым лигандом μ-(Se2) и одним мостиковым μ-(Se2I), с более длинным расстоянием V…V 3.74 Å. Особенностью структуры [V3Se12I2]I3·1/4I2 является лиганд Se–Se–I, который связывает атомы ванадия по типу μ-Se2-κ2,κ1. Рассчитанное значение ширины запрещенной зоны равно 0.78 эВ, что указывает на полупроводниковые свойства селеноиодида ванадия. В статье обсуждаются кристаллическое строение [V3Se12I2]I3·1/4I2, результаты расчета его электронной структуры и устойчивости.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.