Tailoring the Tunneling‐Effect‐Boosted Interfacial Charge Trapping via Effective Conjugation Length (Adv. Funct. Mater. 7/2025)
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Le résumé fourni par la source
Interfacial Charge Trapping The novel perception of a memory transistor based on tunneling-effect-boosted interfacial charge trapping is introduced by Yu-Cheng Chiu and co-workers in article number 2415415. The organic thin film transistor can behave like a memory device under photo-assisted programming/erasing operations, leading to the multimodal functionality of this device for in-memory computing, in-sensor computing, potentially supporting neuromorphic computing, machine learning, and AI development.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Tailoring the Tunneling‐Effect‐Boosted Interfacial Charge Trapping via Effective Conjugation Length (Adv. Funct. Mater. 7/2025)
- Date Crossref
- 01/02/2025
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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National Taiwan University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tohoku University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Indonesia pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Taiwan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Departemen Fisika Fakultas MIPA – Universitas Indonesia Depok 16424 Indonesia pays non établi dans la noticeInstitution
National Taiwan University of Science and Technology, Tohoku University et University of Indonesia, avec 2 autres affiliations.
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