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2024 conference-paper

Broadband Photodetectors Based on Graphene/Perovskite Hybrid Structure with Ferroelectric Gating

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1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Graphene-based optoelectronic devices have attracted much attention due to its wavelength independent light absorption and high carrier mobility. However, such graphene-based photodetectors usually exhibit lower photo responsivity due to weak light absorption. Here, we fabricated a graphene/perovskite hybrid structure, where graphene works as a channel layer in PZT-gated FETs and perovskite works as a light absorber. Due to the combination of strong polarization electric field induced by PZT and high mobility of graphene, a high photo responsivity above 104$\mathbf{AW}^{-1}$for visible light has been obtained in such graphene/perovskite hybrid structure. Moreover, a near-linear photocurrent with the increasing light power was also achieved, which offers a potential way to achieve high performance graphene-based optoelectronics.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Broadband Photodetectors Based on Graphene/Perovskite Hybrid Structure with Ferroelectric Gating
Date Crossref
22/10/2024
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Beijing Institute of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Beijing National Research Center for Information Science and Technology pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Tsinghua University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Integrated Circuits and Electronics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Beijing Institute of Technology, Beijing National Research Center for Information Science and Technology et Tsinghua University, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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