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2024 article

Intrinsic mechanism for negative large out of plane piezoelectricity of monolayer NaSnP

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Intrinsic mechanism for negative large out of plane piezoelectricity of monolayer NaSnP
Date Crossref
01/03/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Sun Yat-sen University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Dongguan University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • East China Normal University State Key Laboratory of Precision Spectroscopy pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Physics Center for Neutron Science and Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Sun Yat-sen University, Dongguan University of Technology et State Key Laboratory of Precision Spectroscopy — East China Normal University, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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