Behavior effect of 2D dopants Semiconductor on the efficiency of pn-photodiode based TMDC-MoS2
0Citations signalées — pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Résumé fourni par la source
SiC, GaN as 2D materials and MoS2 as a TMDC semiconducting material was chosen, a pn-photodiode was fabricated, the resulted photodiode external and internal quantum efficiency was compared to that of MoS2 based photodiode.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Behavior effect of 2D dopants Semiconductor on the efficiency of pn-photodiode based TMDC-MoS2
- Date Crossref
- 01/01/2024
- Éditeur
- Optica Publishing Group
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Sujets associés
2D Materials and ApplicationsGaN-based semiconductor devices and materialsChalcogenide Semiconductor Thin Films