Defect Characterization of HfTiOx Gate Dielectrics on SiGe Heterolayers Using Inelastic Tunneling Spectroscopy
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6Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : in, fr, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Defect Characterization of HfTiOx Gate Dielectrics on SiGe Heterolayers Using Inelastic Tunneling Spectroscopy
- Date Crossref
- 16/11/2024
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Biju Patnaik University of TechnologyUniversité de BordeauxLaboratoire de l'Intégration du Matériau au SystèmeInstitut Polytechnique de BordeauxSungkyunkwan UniversityIndian Institute of Technology Kharagpur
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Les sujets associés
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