Molecular dynamics simulation of uniaxial stretching for silicon nitride deposited by PECVD
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Molecular dynamics simulation of uniaxial stretching for silicon nitride deposited by PECVD
- Date Crossref
- 01/02/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Shanghai University Key Laboratory of Advanced Display and System Applications pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Huawei Technologies (China) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Shanghai University of Engineering Science pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Yulin University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Microelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Ltd Huawei Technologies Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
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School of Energy Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Key Laboratory of Advanced Display and System Applications — Shanghai University, Huawei Technologies (China) et Shanghai University of Engineering Science, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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