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2024 conference-paper

Hybrid III-V/Si Micro-Ring Laser with Non-Volatile Charge Trap Memory

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1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We demonstrate hybrid III-V/Si microring lasers with optical non-volatility via co-integrated charge trap memory. Multi-state (4 states) optical memory is achieved with non-volatile duration up to 24 hours and most likely beyond.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Hybrid III-V/Si Micro-Ring Laser with Non-Volatile Charge Trap Memory
Date Crossref
29/09/2024
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Hewlett Packard Enterprise (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • University of Michigan pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Hewlett Packard Labs/Hewlett Packard Enterprise pays non établi dans la notice
    Institution

Hewlett Packard Enterprise (United States), University of Michigan et Hewlett Packard Labs/Hewlett Packard Enterprise.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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