Hybrid III-V/Si Micro-Ring Laser with Non-Volatile Charge Trap Memory
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We demonstrate hybrid III-V/Si microring lasers with optical non-volatility via co-integrated charge trap memory. Multi-state (4 states) optical memory is achieved with non-volatile duration up to 24 hours and most likely beyond.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Hybrid III-V/Si Micro-Ring Laser with Non-Volatile Charge Trap Memory
- Date Crossref
- 29/09/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Hewlett Packard Enterprise (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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University of Michigan pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hewlett Packard Labs/Hewlett Packard Enterprise pays non établi dans la noticeInstitution
Hewlett Packard Enterprise (United States), University of Michigan et Hewlett Packard Labs/Hewlett Packard Enterprise.
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