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2024 article

Influence of lattice aligned quantum barrier architecture with alleviated Mg-doped region in laser diode structure for underwater communication

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1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Influence of lattice aligned quantum barrier architecture with alleviated Mg-doped region in laser diode structure for underwater communication
Date Crossref
08/10/2024
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Central Electronics Engineering Research Institute Semiconductor Process Technology Group pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Academy of Scientific and Innovative Research pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Semiconductor Process Technology Group — Central Electronics Engineering Research Institute et Academy of Scientific and Innovative Research.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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