Influence of lattice aligned quantum barrier architecture with alleviated Mg-doped region in laser diode structure for underwater communication
Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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- Titre Crossref
- Influence of lattice aligned quantum barrier architecture with alleviated Mg-doped region in laser diode structure for underwater communication
- Date Crossref
- 08/10/2024
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Central Electronics Engineering Research Institute Semiconductor Process Technology Group pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Academy of Scientific and Innovative Research pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Semiconductor Process Technology Group — Central Electronics Engineering Research Institute et Academy of Scientific and Innovative Research.
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