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2024 conference-paper

An Ultrathin Frequency Selective Surface

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

This paper proposes an ultrathin high-frequency selective frequency selective surface (FSS), which is composed of three metal layers and two dielectric substrates. The receiving patch and transmitting patches are integrated separately on the top and bottom GND layers, respectively. A stripline central guide structure is etched on the middle GND layer. To improve frequency selectivity, a quarter-wavelength stripline resonator is added. High frequency selectivity is also maintained when electromagnetic waves with oblique incidence angles within 40° are incident on the proposed third-order FSS. The frequency selectivity of the proposed third-order FSS at the left and right edges of the passband is 371 dB/GHz and 386 dB/GHz, respectively. It is indicated that the proposed third-order FSS has high frequency selectivity and wide application in the field of electromagnetic compatibility

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
An Ultrathin Frequency Selective Surface
Date Crossref
16/08/2024
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Beijing Microelectronics Technology Institute pays non établi dans la notice
    Institution
  • an Microelectronics Technology Institute Xi&#x2019 pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Beijing Microelectronics Technology Institute et Xi&#x2019 — an Microelectronics Technology Institute.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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