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Accès ouvert déclaré 2024 article

Halogenated-edge polymeric semiconductor for efficient spin transport

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Organic semiconductors (OSCs) are featured by weak spin-orbit coupling due to their light chemical element composition, which enables them to maintain spin orientation for a long spin lifetime and show significant potential in room-temperature spin transport. Carrier mobility and spin lifetime are the two main factors of the spin transport performance of OSCs, however, their ambiguous mechanisms with molecular structure make the development of spintronic materials really stagnant. Herein, the effects of halogen substitution in bay-annulated indigo-based polymers on carrier mobility and spin relaxation have been systematically investigated. The enhanced carrier mobility with an undiminished spin lifetime contributes to a 3.7-fold increase in spin diffusion length and a record-high magnetoresistance of 8.7% at room temperature. By analyzing the spin-orbit coupling and hyperfine interaction, it was found that the distance of the substitution site from the conjugated center and the nitrogen atoms in the molecules play crucial roles in spin relaxation. Based on the above results, we proposed a molecular design strategy of halogen substitution far from conjugate center to enhance spin transport efficiency, presenting a promising avenue for advancing the field of organic spintronics. The spin transport mechanism remains unclear for organic semiconductors. Here, authors investigate the effect of halogen substitution in bay-annulated indigo-based polymers and reveal the distance of substitution site from conjugated center and nitrogen atoms play crucial roles in spin relaxation.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Halogenated-edge polymeric semiconductor for efficient spin transport
Date Crossref
27/09/2024
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Beijing National Laboratory for Molecular Sciences pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • National Center for Nanoscience and Technology pays non établi dans la notice
    Organisation à but non lucratif
  • University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Beijing University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Tsinghua University Department of Chemistry pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Faculty of Materials and Manufacturing Beijing Key Laboratory of Microstructure and Property of Solids pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, National Center for Nanoscience and Technology et University of Chinese Academy of Sciences, avec 4 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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