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Accès ouvert déclaré 2024 article

Polarization Pruning: Reliability Enhancement of Hafnia‐Based Ferroelectric Devices for Memory and Neuromorphic Computing

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Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Ferroelectric (FE) materials are key to advancing electronic devices owing to their non-volatile properties, rapid state-switching abilities, and low-energy consumption. FE-based devices are used in logic circuits, memory-storage devices, sensors, and in-memory computing. However, the primary challenge in advancing the practical applications of FE-based memory is its reliability. To address this problem, a novel polarization pruning (PP) method is proposed. The PP is designed to eliminate weakly polarized domains by applying an opposite-sign pulse immediately after a program or erase operation. Significant improvements in the reliability of ferroelectric devices are achieved by reducing the depolarization caused by weakly polarized domains and mitigating the fluctuations in the ferroelectric dipole. These enhancements include a 25% improvement in retention, a 50% reduction in read noise, a 45% decrease in threshold voltage variation, and a 72% improvement in linearity. The proposed PP method significantly improves the memory storage efficiency and performance of neuromorphic systems.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Polarization Pruning: Reliability Enhancement of Hafnia‐Based Ferroelectric Devices for Memory and Neuromorphic Computing
Date Crossref
26/09/2024
Éditeur
Wiley
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Seoul National University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Massachusetts Institute of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Sungkyunkwan University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Hanyang University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Ministry of Science ICT and Future Planning pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Ministry of Science and ICT pays non établi dans la notice
    Organisme public

Seoul National University, Massachusetts Institute of Technology et Sungkyunkwan University, avec 3 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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