A Bandpass Filtering Switch with High Out of Band Isolation Based on PIN Diodes
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this paper, a single pole double throw (SPDT) filtering switch with low insertion loss (IL) and high out-of-band isolation has been proposed using PIN diodes. The designed bandpass filter (BPF) is composed of stepped-impedance resonators (SIRs) and quarter-wavelength resonators. To achieve a switchable SPDT, a T-junction incorporated with quarter-wavelength resonators is cascaded with BPF. Furthermore, PIN diodes loaded at the end of quarter-wavelength resonators are used to switch the channels on/off. Centered at f0=4.9 GHz, a bandpass filtering switch with absolute bandwidth of 400 MHz is simulated, fabricated and measured. The measured results indicate that when only one channel is on, the IL within the passband is less than 1.62 dB. And the out-of-band isolation is better than 40 dB ranging from 6.54 GHz to 8.43 GHz.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A Bandpass Filtering Switch with High Out of Band Isolation Based on PIN Diodes
- Date Crossref
- 16/05/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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South China University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
South China University of Technology.
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