The mobility-lifetime product of hole in CdZnTeSe depending on Se contents
Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The charge collection efficiency (CCE) of a radiation detector greatly depends on the ratio of the electron to hole mobility-lifetime product. In order to improve the energy resolution of the detector, it is crucial to minimize the effects of hole tailing effect and the polarization effect. A recent study has shown that the addition of Se to CdZnTe (CZT) detectors can improve the mobility-lifetime product of holes by reducing the density of Ec-1.1-eV traps (hole traps) [1]. To determine the optimal amount of Se, the mobility-lifetime product of holes in CdZnTeSe (CZTS) detectors was evaluated with Se contents ranging from 1% to 10%. The Zn content was adjusted accordingly to compensate for the decrease in bandgap at higher Se contents. The detector performance and mobility-lifetime products of holes at different Se contents will be presented.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- The mobility-lifetime product of hole in CdZnTeSe depending on Se contents
- Date Crossref
- 26/10/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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