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Accès ouvert déclaré 2024 preprint

Efficient Fabrication of ß-In2s3 Thin Films with Uniform Morphology for Photovoltaics Application Using a Cost-Effective Cvd Method with Different Thickness

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Résumé indisponible : les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits depuis son seul titre.

Contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Efficient Fabrication of ß-In2s3 Thin Films with Uniform Morphology for Photovoltaics Application Using a Cost-Effective Cvd Method with Different Thickness
Date Crossref
01/01/2024
Éditeur
Elsevier BV
Type
posted-content

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Sujets associés

Chalcogenide Semiconductor Thin FilmsQuantum Dots Synthesis And PropertiesSemiconductor materials and interfaces

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