Room-temperature ferromagnetic semiconductor Fe-doped β-Ga 2 O 3 thin films with high saturation magnetization and low coercivity
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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Fe-doped β-Ga 2 O 3 DMS film exhibits high M s and low H c (70 emu cm −3 and 12 Oe at 300 K). The high M s originates from the Ga vacancy-enhanced ferromagnetic coupling between the BMPs.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Room-temperature ferromagnetic semiconductor Fe-doped β-Ga <sub>2</sub> O <sub>3</sub> thin films with high saturation magnetization and low coercivity
- Date Crossref
- 01/01/2024
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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Les sujets associés
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