Spatial Electron-Spin Splitter Based on Rashba Spin-Orbit-Coupling Modulated Layered-Semiconductor Quantum Microstructure
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Goos-Hänchen effect of electrons in a layered semiconductor quantum microstructure is explored. Thanks to Rashba spin-orbit coupling, GH shifts depend obviously on electron spins, causing the dynamic spin polarization in the spatial domain. Besides, this spin polarization can be modulated by the interfacial electric field or the layer thickness. These interesting findings may be helpful for design of the spatial electron-spin splitter.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Spatial Electron-Spin Splitter Based on Rashba Spin-Orbit-Coupling Modulated Layered-Semiconductor Quantum Microstructure
- Date Crossref
- 01/11/2024
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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