Janus Doping of Sulfur into Platinum Diselenide Ribbons
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Le résumé fourni par la source
Abstract 2D platinum diselenide (PtSe2), a novel member of the transition metal dichalcogenides (TMDCs) family, possesses many excellent properties, including a layer‐dependent bandgap, high carrier mobility, and broadband response, making it promise for applications in technologies like field‐effect transistors and room‐temperature photodetectors. Doping represents an effective method to modify the electrical properties of 2D TMDCs and to bestow upon them additional functions. However, to date, little research has been conducted on the successful doping of 2D PtSe2 for modification. In this study, sulfur (S) powder is utilized during the chemical vapor deposition growth process of 2D PtSe2 ribbons and successfully integrated into the PtSe2 lattice through substitutional doping. The Au substrate significantly decreases the substitution energy of Se atoms in the lower layer of PtSe2, resulting in the formation of the Janus PtSSe structure. S‐doped PtSe2 ribbons demonstrate significant symmetry breaking and enhanced electrical properties, showcasing a strong nonlinear optical response and certain synaptic plasticity, further simulating some neuromorphological processes. This study not only demonstrates a viable method for controllable doping and modification of 2D PtSe2 but also establishes a platform for exploring the characteristics of Janus TMDCs.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Janus Doping of Sulfur into Platinum Diselenide Ribbons
- Date Crossref
- 23/08/2024
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Tsinghua University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Engineering Research Center for Information Technology in Agriculture pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Beijing National Research Center for Information Science and Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shenzhen Institutes of Advanced Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Materials Science and Engineering State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Integrated Circuits pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shenzhen Institute for Advanced Study University of Electronic Science and Technology of China Shenzhen 518110 China Shenzhen Institute for Advanced Study pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University et National Engineering Research Center for Information Technology in Agriculture, avec 5 autres affiliations.
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