Improved Uniformity and Excellent Endurance Characteristics of TaO x -Based RRAM by Laser-Mediated Interface Engineering
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this work, we report a laser-mediated interface engineering method to improve RRAM performances. Compared with pristine TiN/TaOx/TaN devices, a 10x uniformity improvement is achieved when a 0.4 J/cm2laser is applied to irradiate the TaOxlayer. Moreover, an excellent endurance (106) with high on/off ratio (156) is obtained. The characterization results show that laser treatment can effectively inhibit oxygen exchange at the interface between TaOxlayer and TiN electrode to improve controllability of the filament. Our study shows the potential of laser-mediated interface engineering for achieving high-performance RRAMs.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Improved Uniformity and Excellent Endurance Characteristics of TaO <sub>x</sub> -Based RRAM by Laser-Mediated Interface Engineering
- Date Crossref
- 15/06/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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