Enhanced Electrical Performance of Ultrathin Body Nanosheets
Résumé fourni par la source
Ultrathin body has the immunity to subthreshold swing (SS) degradation by doping and Dit, approaching the ideal SS of 60mV/dec. The large effective bandgap (Eg) by the quantum confinement results in high ION/IOFF. The large Egweakens the impact ionization to improve the high breakdown voltage. The Ge0.9Sn0.1ultrathin bodies are realized by co-optimization between CVD epitaxy and etching. The nearly ideal SS of 64mV/dec is achieved. The compressive strain of GeSn channel after channel release increases with decreasing body thickness. The ~2nm ultrathin body has a compressive strain of 3.3%. The high breakdown voltage of 11.7V is also achieved, as compared to 6V breakdown voltage of 10nm nanosheets.
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Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Enhanced Electrical Performance of Ultrathin Body Nanosheets
- Date Crossref
- 15/06/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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