Behavior Effect of Semiconductor 2D Dopants on Time Response of TMDC-MoS2 Based Schottky-Photodiode
Résumé fourni par la source
SiC and GaN as 2D materials as well as Mos2 as a TMDC semiconducting material was chosen, a Shottky-photodiode based SiC/MoS2 composite as well as GaN/MoS2composite was fabricated, the resulted photodiode external quantum efficiency as well as internal quantum efficiency was compared to that of Mos2based photodiode and consequently the time response was also compared.
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Behavior Effect of Semiconductor 2D Dopants on Time Response of TMDC-MoS2 Based Schottky-Photodiode
- Date Crossref
- 28/05/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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