Security enhancement of artificial neural network using physically transient form of heterogeneous memristors with tunable resistive switching behaviors
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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Security enhancement of artificial neural network using physically transient form of heterogeneous memristors with tunable resistive switching behaviors 阻变行为可调控的物理瞬态异质结构忆阻器及安全 神经网络构建
- Date Crossref
- 16/07/2024
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Xidian University National Engineering Research Center of Wide Band-gap Semiconductor pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Xi’an University of Posts and Telecommunications pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Advanced Materials and Nanotechnology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Electronic Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
National Engineering Research Center of Wide Band-gap Semiconductor — Xidian University, Xi’an University of Posts and Telecommunications et School of Advanced Materials and Nanotechnology, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
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