Dark Current Random Telegraph Signal in Proton-Irradiated Single InGaAs Photodiodes
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this work, we study the dark current random telegraph signal (DC-RTS) on 14.4-MeV proton-irradiated InGaAs single photodiodes. The analyzed diodes showed a two-level DC-RTS. DC-RTS amplitudes and lifetimes of the level “high” and level “low” are thermally activated. Moreover, a reverse bias dependence of the lifetimes of the levels has been observed.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Dark Current Random Telegraph Signal in Proton-Irradiated Single InGaAs Photodiodes
- Date Crossref
- 01/08/2024
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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