Annealing of MBE-grown CdTe epitaxial layer at various tellurium overpressure for reduced defect density
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3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Annealing of MBE-grown CdTe epitaxial layer at various tellurium overpressure for reduced defect density
- Date Crossref
- 01/05/2024
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Solid State Physics LaboratoryIndian Institute of Technology DelhiDefence Research and Development Organisation
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Les sujets associés
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