Nonvolatile optical control of interlayer stacking order in 1T-TaS2
Rattachement africain : cn, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Nonvolatile optical manipulation of material properties on demand is a highly sought-after feature in the advancement of future optoelectronic applications. Here, we unravel the nature of the single-laser-pulse induced hidden state in 1 T -TaS 2 by systematically investigating the electronic structure evolution and the pulse-pair control throughout the reversible transition cycle. Our data indicate a mixed-stacking state involving two similarly low-energy interlayer orders, which is manifested as the charge density wave phase disruption. Furthermore, we elucidate distinct mechanisms underlying the bidirectional transformations — the ultrafast formation of the hidden state is initiated by a coherent phonon which triggers a competition between interlayer stacking orders, while its recovery is governed by the progressive domain evolution. Our work highlights the deterministic role of the competing interlayer orders in the nonvolatile phase transition in 1 T -TaS 2 , establishing all-optical engineering of stacking orders in low-dimensional materials as a viable strategy for achieving desirable nonvolatile electronic devices.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Nonvolatile optical control of interlayer stacking order in 1T-TaS2
- Date Crossref
- 23/12/2025
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
-
Institute of Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
National Laboratory for Superconductivity pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Beijing Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Beijing Institute of Optoelectronic Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Kyung Hee University Department of Applied Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
School of Physics Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Chinese Academy of Sciences, Institute of Physics et National Laboratory for Superconductivity, avec 5 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.