Epitaxial growth of Ca(Ge1−xSnx)2 with group IV 2D layers on Si substrate
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract Two-dimensional (2D) material is drawing considerable attention as a promising thermoelectric material. This study establishes the formation method of renewed Ca-intercalated group IV 2D materials, Ca(Ge1−x Sn x )2 crystals including germanene-based 2D layers. The solid phase epitaxy allows us to form epitaxial Ca(Ge1−x Sn x )2 on Si. Atomic force microscopy reveals that the Ca(Ge1−x Sn x )2 has island structures. X-ray diffraction proved the epitaxial growth of the Ca(Ge1−x Sn x )2 island structures and the increase of the c-axis lattice constant with Sn content increase. The formation of this renewed intermetallic compound including group IV 2D layer opens an avenue for high performance thermoelectric generator/Si.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Epitaxial growth of Ca(Ge<sub>1−x</sub>Sn<sub>x</sub>)<sub>2</sub> with group IV 2D layers on Si substrate
- Date Crossref
- 01/05/2024
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
The University of Osaka pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Osaka University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
The University of Osaka et Osaka University.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.