Variability in HfO 2 -based memristors described with a new bidimensional statistical technique
Rattachement africain : es, de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A new statistical analysis is presented to assess cycle-to-cycle variability in resistive memories. This method employs two-dimensional (2D) distributions of parameters to analyse both set and reset voltages and currents, coupled with a 2D coefficient of variation (CV). This 2D methodology significantly enhances the analysis, providing a more thorough and comprehensive understanding of the data compared to conventional one-dimensional methods. Resistive switching (RS) data from two different technologies based on hafnium oxide are used in the variability study. The 2D CV allows a more compact assessment of technology suitability for applications such as non-volatile memories, neuromorphic computing and random number generation circuits.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Variability in HfO <sub>2</sub> -based memristors described with a new bidimensional statistical technique
- Date Crossref
- 01/01/2024
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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