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2024 article

Conversion between digital and analog resistive switching behaviors and logic display application of photoresponsive ZnO nanorods-based memristor

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Conversion between digital and analog resistive switching behaviors and logic display application of photoresponsive ZnO nanorods-based memristor
Date Crossref
01/06/2024
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Fujian Normal University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Xi'an Jiaotong University Frontier Institute of Science and Technology (FIST) pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Southwest University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Southwest Jiaotong University Key Laboratory of Advanced Technology of Materials pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • College of Physics and Energy Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Advanced High-Field Superconducting Materials and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • College of Artificial Intelligence pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Fujian Normal University, Frontier Institute of Science and Technology (FIST) — Xi'an Jiaotong University et Southwest University, avec 3 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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