Comparison of Electro-Optical Characteristics of Simulated and Fabricated InGaN/ GaN MQWs Green Light Emitting Diodes on c-Plane Sapphire
Résumé fourni par la source
We present the simulation and fabrication with characterization of InGaN MQWs based green LEDs on c-plane sapphire substrate in this paper. The simulated results show that internal quantum efficiency droop has improved from 13% in reference structure to 4% in the modified structure at 200 A/cm2current density with replacement of the 15 nm AlGaN step index EBL with a super-lattice pair of graded AlGaN EBL following a reduction in droop, polarization charges and increment in hole injection towards active region.
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Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Comparison of Electro-Optical Characteristics of Simulated and Fabricated InGaN/ GaN MQWs Green Light Emitting Diodes on c-Plane Sapphire
- Date Crossref
- 03/03/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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