Ultra Wide Dynamic Range High Power RF Rectifier
Rattachement africain : gb, tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A high-power RF-to-DC rectifier applied to wireless power transfer (WPT) with ultra-wide input power dynamic range is proposed in this paper. A GaN (gallium nitride) HEMT (high electron mobility transistor) is utilized to realize rectification at high power up to 12 W and a Schottky diode is used for lower-power rectification. Excellent switching between the two circuits’ rectification modes is achieved by adding a circulator. The rectifier has a 30 dB dynamic range with an efficiency of over 50% at 2.4 GHz.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ultra Wide Dynamic Range High Power RF Rectifier
- Date Crossref
- 17/03/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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