Controlling structure and interfacial interaction of monolayer TaSe2 on bilayer graphene
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Le résumé fourni par la source
Abstract Tunability of interfacial effects between two-dimensional (2D) crystals is crucial not only for understanding the intrinsic properties of each system, but also for designing electronic devices based on ultra-thin heterostructures. A prerequisite of such heterostructure engineering is the availability of 2D crystals with different degrees of interfacial interactions. In this work, we report a controlled epitaxial growth of monolayer TaSe2 with different structural phases, 1H and 1 T, on a bilayer graphene (BLG) substrate using molecular beam epitaxy, and its impact on the electronic properties of the heterostructures using angle-resolved photoemission spectroscopy. 1H-TaSe2 exhibits significant charge transfer and band hybridization at the interface, whereas 1 T-TaSe2 shows weak interactions with the substrate. The distinct interfacial interactions are attributed to the dual effects from the differences of the work functions as well as the relative interlayer distance between TaSe2 films and BLG substrate. The method demonstrated here provides a viable route towards interface engineering in a variety of transition-metal dichalcogenides that can be applied to future nano-devices with designed electronic properties.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Controlling structure and interfacial interaction of monolayer TaSe2 on bilayer graphene
- Date Crossref
- 15/04/2024
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Kangwon National University Department of Physics and Institute of Quantum Convergence Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Pusan National University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Lawrence Berkeley National Laboratory Advanced Light Source pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Peking University Interdisciplinary Institute of Light-Element Quantum Materials and Research Center for Light-Element Advanced Materials pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Collaborative Innovation Center of Quantum Matter pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of California Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Fudan University State Key Laboratory of Surface Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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SLAC National Accelerator Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Stanford University Geballe Laboratory for Advanced Materials pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Korea Foundation for Max Planck POSTECH pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Korea Institute of Science and Technology Center for Spintronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Physics International Center for Quantum Materials pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Physics and Institute of Quantum Convergence Technology — Kangwon National University, Department of Physics — Pusan National University et Advanced Light Source — Lawrence Berkeley National Laboratory, avec 9 autres affiliations.
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