Anisotropic optical conductivity accompanied by a small energy gap in the one-dimensional thermoelectric telluride Ta4SiTe4
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We investigated the optical properties of single crystals of one-dimensional van der Waals crystal ${\mathrm{Ta}}_{4}{\mathrm{SiTe}}_{4}$, which exhibited high thermoelectric performance below room temperature. Optical conductivity estimated from reflectivity spectra indicates the presence of a small energy gap of 0.1--0.15 eV at the Fermi energy. At the lowest energy, optical conductivity along the ${\mathrm{Ta}}_{4}{\mathrm{SiTe}}_{4}$ chain is an order of magnitude higher than that perpendicular to this direction, reflecting anisotropic electron conduction in ${\mathrm{Ta}}_{4}{\mathrm{SiTe}}_{4}$. These results suggest that the coexistence of a small band gap and moderate anisotropy in electron conduction is a promising strategy for developing high-performance thermoelectric materials for low-temperature applications.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Anisotropic optical conductivity accompanied by a small energy gap in the one-dimensional thermoelectric telluride <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">Ta</mml:mi><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi>SiTe</mml:mi><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math>
- Date Crossref
- 08/04/2024
- Éditeur
- American Physical Society (APS)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.